小儿多动症形成的原因是哪些?在心理科学杂志上发表的一项对386名年龄在6岁到17岁之间儿童列调查研究显示，有HEF C282Y基因突变与无突变的孩子相比, 低水平的铅暴露会增加ADHD的发病风险。这些儿童均生活在安全的铅暴露环境范围内，其中男孩对铅的影响敏感度要高于女孩。下面一起了解一下吧。

　　一、遗传、素质因素

　　许多多动症儿童的父母小时候也多动;不少母亲反映患儿在胎儿期就好动，出生后好哭，入睡困难，进食不好，难以照顾。

　　二、化学及代谢因素

　　经大量研究证实，多动症儿童中枢单胺类受体更新较慢;也有研究发现，维生素缺乏或某些食物添加剂或色素所致的代谢紊乱与儿童多动行为有关。

　　三、金属元素中毒

　　铅中毒是比较流行的理论，但并非同一种情况的孩子都多动，所以这一因素还有待进一步研究。

　　四、精神发育受损或成熟延迟

　　此类儿童行为较幼稚，动作笨拙，协调性差。孩子的母亲在孕期或围产期时并发症较多。

　　五、社会、家庭、心理因素

　　不良的社会环境、破裂的家庭、父母性格不良、意外精神刺激等都易导致儿童注意力不集中、多动。

　　多动症引起的原因有很多，怎样才能治好小儿多动症呢?我们不妨试试经颅磁刺激仪，目前临床上主要是通过经颅磁刺激的不同的频率来达到治疗目的，高频(>1HZ)主要是兴奋的作用，低频(<1HZ)则是抑制的作用。高频rTMS可以增加刺激部位脑血流，增加脑源性神经营养因子，增加刺激回路垂体神经内分泌相关激素，增加细胞内钙离子，引起基因表达和蛋白质代谢的双向调节，产生长时程增强(LTP)的可塑性变化，促进突触连接功能和神经网络形成等。而低频刺激作用则相反。重复经颅磁刺激(rTMS)用于治疗主要是通过改变它的刺激频率而分别达到兴奋或抑制局部大脑皮质功能的目的。